高頻開(kāi)關(guān)充電裝置結(jié)合脈寬調(diào)制(PWM)技術(shù)的研究和應(yīng)用，使開(kāi)關(guān)電源迅速發(fā)展。目前，開(kāi)關(guān)頻率提高到25～500kH。左右，功率開(kāi)關(guān)管器件已將縱向金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和其他新型器件等用于高頻開(kāi)關(guān)電源回路，進(jìn)一步提高了開(kāi)關(guān)頻率及技術(shù)性能，使電源設(shè)備更小型化、輕量化。高頻開(kāi)關(guān)整流裝置種類較多，其性能指標(biāo)比以往的可控硅整流器和硅整流器等優(yōu)越，詳細(xì)比較見(jiàn)表6-4。

　　表6-4    高頻開(kāi)關(guān)整流裝置和可控硅、硅整流器充電裝置技術(shù)指標(biāo)比較